一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911351215.7

申请日：

2019-12-24

公开(公告)号：

CN111081505A

公开(公告)日：

2020-04-28

发明(设计)人：

陈军黄佳邓少芝许宁生佘峻聪

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

H01J102 H01J902

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈嘉毅

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	授权	授权
2020-05-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20191224
2020-04-28	公开	公开

共 50 条

[1]

内栅结构的纳米冷阴极电子源、制作方法及电子源阵列 [P].

陈军 ;

区卓然 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN118039431A ,2024-05-14

[2]

一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

黄佳 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN110600350A ,2019-12-20

[3]

自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法 [P].

陈军 ;

赵龙 ;

刘垣明 ;

陈道坤 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN106158551B ,2016-11-23

[4]

可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法 [P].

陈军 ;

刘垣明 ;

赵龙 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN107818899B ,2018-03-20

[5]

一种栅极结构复合纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

张恒 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN120413389A ,2025-08-01

[6]

一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法 [P].

陈军 ;

李欣然 ;

曹秀清 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN114496686A ,2022-05-13

[7]

一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法及其结构 [P].

陈军 ;

赵龙 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN104091743B ,2014-10-08

[8]

一种带栅极的纳米线冷阴极电子源阵列的结构及其制作方法和在平板显示的应用 [P].

许宁生 ;

陈军 ;

詹润泽 ;

麦强 ;

邓少芝 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN101494144A ,2009-07-29

[9]

一种纳米冷阴极电子源阵列及其制备方法 [P].

陈军 ;

李欣然 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN119943628A ,2025-05-06

[10]

一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法 [P].

戴庆 ;

李振军 ;

刘新川 ;

李驰 ;

白冰 .

中国专利 :CN114171359A ,2022-03-11

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