一种纳米冷阴极电子源阵列及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411882259.3

申请日：

2024-12-19

公开(公告)号：

CN119943628A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

陈军李欣然邓少芝许宁生

申请人：

中山大学

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

H01J1/304

IPC分类号：

H01J9/02

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

牛念

法律状态：

公开

国省代码：

广东省广州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01J 1/304申请日:20241219

共 50 条

[1]

一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法 [P].

陈军 ;

李欣然 ;

曹秀清 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN114496686A ,2022-05-13

[2]

冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源 [P].

白神崇生 ;

北川和典 ;

兼重敏男 ;

西村则雄 .

中国专利 :CN101840822B ,2010-09-22

[3]

一种双层场发射冷阴极电子源及其制造方法 [P].

张宇 ;

姜俊 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN119170466A ,2024-12-20

[4]

自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法 [P].

陈军 ;

赵龙 ;

刘垣明 ;

陈道坤 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN106158551B ,2016-11-23

[5]

内栅结构的纳米冷阴极电子源、制作方法及电子源阵列 [P].

陈军 ;

区卓然 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN118039431A ,2024-05-14

[6]

一种栅极结构复合纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

张恒 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN120413389A ,2025-08-01

[7]

可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法 [P].

陈军 ;

刘垣明 ;

赵龙 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN107818899B ,2018-03-20

[8]

一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

黄佳 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN110600350A ,2019-12-20

[9]

一种碳纳米管冷阴极电子源及其对位焊接方法 [P].

戴庆 ;

李振军 ;

刘新川 ;

李驰 ;

白冰 .

中国专利 :CN114171359A ,2022-03-11

[10]

一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

黄佳 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN111081505A ,2020-04-28

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