可行列寻址的共面聚焦纳米冷阴极电子源阵列及制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711063201.6

申请日：

2017-11-02

公开(公告)号：

CN107818899B

公开(公告)日：

2018-03-20

发明(设计)人：

陈军刘垣明赵龙邓少芝许宁生佘峻聪

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

H01J1304

IPC分类号：

H01J902

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司 44100

代理人：

林玉芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 1/304 申请日:20171102
2019-06-14	授权	授权
2018-03-20	公开	公开

共 50 条

[1]

自对准聚焦结构的纳米线冷阴极电子源阵列及其制作方法 [P].

陈军 ;

赵龙 ;

刘垣明 ;

陈道坤 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN106158551B ,2016-11-23

[2]

内栅结构的纳米冷阴极电子源、制作方法及电子源阵列 [P].

陈军 ;

区卓然 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN118039431A ,2024-05-14

[3]

一种共面双栅聚焦结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

黄佳 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN111081505A ,2020-04-28

[4]

一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法 [P].

陈军 ;

李欣然 ;

曹秀清 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN114496686A ,2022-05-13

[5]

冷阴极电子源的制造方法及冷阴极电子源 [P].

白神崇生 ;

北川和典 ;

兼重敏男 ;

西村则雄 .

中国专利 :CN101840822B ,2010-09-22

[6]

一种纳米冷阴极电子源阵列及其制备方法 [P].

陈军 ;

李欣然 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN119943628A ,2025-05-06

[7]

一种栅极结构复合纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

张恒 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN120413389A ,2025-08-01

[8]

一种具有嵌入式电极的冷阴极电子源阵列及其制作方法和应用 [P].

陈军 ;

陈毅聪 ;

许宁生 ;

邓少芝 .

中国专利 :CN102709133A ,2012-10-03

[9]

一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法及其结构 [P].

陈军 ;

赵龙 ;

邓少芝 ;

许宁生 .

中国专利 :CN104091743B ,2014-10-08

[10]

一种双环栅结构的纳米冷阴极电子源及其制作方法 [P].

陈军 ;

黄佳 ;

邓少芝 ;

许宁生 ;

佘峻聪 .

中国专利 :CN110600350A ,2019-12-20

← 1 2 3 4 5 →