可印制的纳米材料冷阴极浆料及其场发射冷阴极的制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510033162.6

申请日：

2005-02-07

公开(公告)号：

CN1674192A

公开(公告)日：

2005-09-28

发明(设计)人：

许宁生任豪邓少芝陈军佘峻聪

申请人：

申请人地址：

510275广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

H01J130

IPC分类号：

H01J2904 H01J902

代理机构：

广州新诺专利商标事务所有限公司

代理人：

华辉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-24	授权	授权
2005-09-28	公开	公开
2005-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

电子发射体、冷阴极场电子发射元件和冷阴极场电子发射显示装置的制造方法 [P].

八木贵郎 ;

岛村敏规 .

中国专利 :CN101499393A ,2009-08-05

[2]

电子发射体、冷阴极场电子发射元件和冷阴极场电子发射显示装置的制造方法 [P].

八木贵郎 ;

岛村敏规 .

中国专利 :CN100527310C ,2005-04-13

[3]

柔性场发射冷阴极的制备方法及柔性场发射设备 [P].

赵江 ;

项扬军 ;

施庆玲 ;

周紫薇 ;

罗劲松 ;

嵇光晗 .

中国专利 :CN109065423A ,2018-12-21

[4]

低温下制备银/碳纳米管场发射冷阴极的方法 [P].

李海燕 ;

张之圣 ;

胡明 ;

崔屾 ;

吴裕功 ;

王秀宇 .

中国专利 :CN1694207A ,2005-11-09

[5]

粉末冶金法制备碳纳米管场发射冷阴极的方法 [P].

娄朝刚 ;

张晓兵 ;

雷威 .

中国专利 :CN1329936C ,2005-01-12

[6]

碳纳米管冷阴极的制造方法及其应用 [P].

周明杰 ;

邵鹏睿 ;

马文波 .

中国专利 :CN102262988A ,2011-11-30

[7]

一种场发射冷阴极结构及其制造方法 [P].

邓少芝 ;

张维明 ;

张宇 .

中国专利 :CN111293013A ,2020-06-16

[8]

一种场发射冷阴极及其制造方法 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN106653520B ,2017-05-10

[9]

碳纳米场发射阴极及其制备方法和应用 [P].

洪序达 ;

梁栋 ;

石伟 .

中国专利 :CN105513921A ,2016-04-20

[10]

一种柔性透明场发射冷阴极的制备方法 [P].

郑辉 ;

周珂 ;

张阳 ;

郑梁 ;

郑鹏 .

中国专利 :CN112701023B ,2021-04-23

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