一种Ge-Sb基相变材料及多级相变存储器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011165879.7

申请日：

2020-10-27

公开(公告)号：

CN112331767A

公开(公告)日：

2021-02-05

发明(设计)人：

徐明张立伟缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

李智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-05	公开	公开
2021-02-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20201027

共 50 条

[1]

HfN-Ge-Sb-Te相变材料及低功耗相变存储器 [P].

程晓敏 ;

范思源 ;

缪向水 .

中国专利 :CN117956889A ,2024-04-30

[2]

一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法 [P].

徐明 ;

李博文 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110911557A ,2020-03-24

[3]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[4]

In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110718627A ,2020-01-21

[5]

一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

程丽敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

刘波 ;

彭程 .

中国专利 :CN102347446B ,2012-02-08

[6]

一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108110135A ,2018-06-01

[7]

Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110729400B ,2020-01-24

[8]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[9]

一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te3相变存储材料 [P].

朱敏 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 ;

周夕淋 ;

任堃 ;

封松林 .

中国专利 :CN102593355A ,2012-07-18

[10]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

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