一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911046637.3

申请日：

2019-10-30

公开(公告)号：

CN110911557A

公开(公告)日：

2020-03-24

发明(设计)人：

徐明李博文缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224

代理人：

张英

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20200324
2020-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20191030
2020-03-24	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Ge-Sb基相变材料及多级相变存储器 [P].

徐明 ;

张立伟 ;

缪向水 .

中国专利 :CN112331767A ,2021-02-05

[2]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[3]

In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110718627A ,2020-01-21

[4]

一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108110135A ,2018-06-01

[5]

一种相变材料、相变存储器及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

王若冰 ;

周夕淋 ;

宋三年 ;

禹宁 .

中国专利 :CN120857854A ,2025-10-28

[6]

C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN110098322A ,2019-08-06

[7]

一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

程丽敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

刘波 ;

彭程 .

中国专利 :CN102347446B ,2012-02-08

[8]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[9]

Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110729400B ,2020-01-24

[10]

一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104716260A ,2015-06-17

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