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一种相变材料、相变存储器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510816186.6
申请日：
2025-06-18
公开(公告)号：
CN120857854A
公开(公告)日：
2025-10-28
发明(设计)人：
宋志棠 王若冰 周夕淋 宋三年 禹宁
申请人：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址：
200050 上海市长宁区长宁路865号
IPC主分类号：
H10N70/00
IPC分类号：
H10B63/10 H10N70/20
代理机构：
上海泰博知识产权代理有限公司 31451
代理人：
魏峯
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-28 公开 公开
2025-11-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20250618
共 50 条
[1]
一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P]. 
赵进 ;
宋文雄 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN111244271A ,2020-06-05
[2]
一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P]. 
王禹昊 ;
黄文健 ;
宋文雄 ;
宋三年 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN119584850A ,2025-03-07
[3]
一种双层相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P]. 
吴良才 ;
刘广宇 ;
宋志棠 ;
李涛 ;
石建军 ;
封松林 .
中国专利 :CN109065708A ,2018-12-21
[4]
用于相变存储器的相变材料及其制备方法 [P]. 
丁科元 ;
饶峰 ;
王勇 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN106611814A ,2017-05-03
[5]
相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P]. 
周凌珺 ;
杨红心 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05
[6]
相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P]. 
周凌珺 ;
杨红心 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15
[7]
相变材料、相变存储器、及制备方法 [P]. 
杨红心 ;
周凌珺 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114824074A ,2022-07-29
[8]
相变材料、相变存储器、及制备方法 [P]. 
杨红心 ;
周凌珺 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114824074B ,2025-04-11
[9]
一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法 [P]. 
王青 ;
刘波 ;
夏洋洋 ;
张中华 ;
宋三年 ;
宋志棠 ;
封松林 .
中国专利 :CN104409628B ,2015-03-11
[10]
一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P]. 
王青 ;
刘波 ;
夏洋洋 ;
张中华 ;
宋三年 ;
宋志棠 ;
封松林 .
中国专利 :CN104716260A ,2015-06-17
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