相变存储材料、相变存储器及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202210590318.4

申请日：

2022-05-26

公开(公告)号：

CN114864818A

公开(公告)日：

2022-08-05

发明(设计)人：

周凌珺杨红心刘峻

申请人：

申请人地址：

430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

高洁;张颖玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20220526
2022-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[2]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

[3]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[4]

一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周夕淋 ;

朱栩旭 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN115000296A ,2022-09-02

[5]

一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周夕淋 ;

朱栩旭 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN115000296B ,2025-10-28

[6]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[7]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[8]

一种高密度相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周夕淋 ;

郑加 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN114709330A ,2022-07-05

[9]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[10]

相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110718628B ,2020-01-21

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