相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910829462.7

申请日：

2019-09-03

公开(公告)号：

CN110718628B

公开(公告)日：

2020-01-21

发明(设计)人：

徐明徐萌缪向水

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224

代理人：

李佑宏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190903
2022-03-08	授权	授权
2020-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

In-Sn-Sb相变材料、相变存储器及In-Sn-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110718627A ,2020-01-21

[2]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[3]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[4]

Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法 [P].

徐明 ;

徐萌 ;

缪向水 .

中国专利 :CN110729400B ,2020-01-24

[5]

一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104409628B ,2015-03-11

[6]

相变合金材料的无损刻蚀方法 [P].

李俊焘 ;

刘波 ;

宋志棠 ;

冯高明 ;

吴关平 .

中国专利 :CN103094476A ,2013-05-08

[7]

相变材料、相变存储器、及制备方法 [P].

杨红心 ;

周凌珺 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114824074A ,2022-07-29

[8]

相变材料、相变存储器、及制备方法 [P].

杨红心 ;

周凌珺 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114824074B ,2025-04-11

[9]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[10]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

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