相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010581188.5

申请日：

2010-12-09

公开(公告)号：

CN102544355B

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

吕业刚宋三年宋志棠

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C22C1200

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-04	公开	公开
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322521477 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2010105811885 申请日:20101209
2014-12-24	授权	授权

共 50 条

[1]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[2]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[3]

相变存储材料及其制备方法 [P].

许建安 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

吴良才 .

中国专利 :CN102185106B ,2011-09-14

[4]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

饶峰 ;

吴良才 .

中国专利 :CN102227015B ,2011-10-26

[5]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[6]

相变存储材料及其制备方法 [P].

朱敏 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 .

中国专利 :CN102751435A ,2012-10-24

[7]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[8]

用于相变存储器的相变材料及其制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

王勇 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106611814A ,2017-05-03

[9]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[10]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

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