相变存储材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110103185.5

申请日：

2011-04-22

公开(公告)号：

CN102185106B

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

许建安饶峰宋志棠刘波吴良才

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-22	授权	授权
2011-09-14	公开	公开
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127311561 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011101031855 申请日:20110422

共 50 条

[1]

相变存储材料及其制备方法 [P].

朱敏 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 .

中国专利 :CN102751435A ,2012-10-24

[2]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

[3]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

饶峰 ;

吴良才 .

中国专利 :CN102227015B ,2011-10-26

[4]

相变存储材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

夏梦姣 ;

饶峰 .

中国专利 :CN102157685B ,2011-08-17

[5]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

李学来 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

任堃 ;

吴良才 ;

刘波 ;

刘卫丽 .

中国专利 :CN102142518B ,2011-08-03

[6]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[7]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[8]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[9]

一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104409628B ,2015-03-11

[10]

用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法 [P].

彭程 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

周夕淋 ;

朱敏 ;

刘波 .

中国专利 :CN102623632B ,2012-08-01

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