相变存储材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110033438.6

申请日：

2011-01-30

公开(公告)号：

CN102157685B

公开(公告)日：

2011-08-17

发明(设计)人：

宋志棠夏梦姣饶峰

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-24	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101113914780 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011100334386 申请日:20110130
2011-08-17	公开	公开

共 50 条

[1]

相变存储材料及其制备方法 [P].

朱敏 ;

吴良才 ;

宋志棠 ;

饶峰 ;

彭程 .

中国专利 :CN102751435A ,2012-10-24

[2]

相变存储材料及其制备方法 [P].

许建安 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

吴良才 .

中国专利 :CN102185106B ,2011-09-14

[3]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

李学来 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

任堃 ;

吴良才 ;

刘波 ;

刘卫丽 .

中国专利 :CN102142518B ,2011-08-03

[4]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

饶峰 ;

吴良才 .

中国专利 :CN102227015B ,2011-10-26

[5]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

[6]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[7]

相变材料的制备方法 [P].

宋志棠 ;

夏梦姣 ;

饶峰 ;

刘波 ;

封松林 .

中国专利 :CN102386327A ,2012-03-21

[8]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[9]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[10]

碳化物复合相变存储材料及制备方法 [P].

吴良才 ;

朱敏 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102453823B ,2012-05-16

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