相变存储材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110100484.3

申请日：

2011-04-21

公开(公告)号：

CN102751435A

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

朱敏吴良才宋志棠饶峰彭程

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1406 C23C1435

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367518118 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011101004843 申请日:20110421
2015-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101714134280 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2011101004843 申请公布日:20121024
2012-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

相变存储材料及其制备方法 [P].

许建安 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

吴良才 .

中国专利 :CN102185106B ,2011-09-14

[2]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

[3]

相变存储材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

夏梦姣 ;

饶峰 .

中国专利 :CN102157685B ,2011-08-17

[4]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

饶峰 ;

吴良才 .

中国专利 :CN102227015B ,2011-10-26

[5]

一种相变存储材料及其制备方法 [P].

李学来 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

任堃 ;

吴良才 ;

刘波 ;

刘卫丽 .

中国专利 :CN102142518B ,2011-08-03

[6]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[7]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[8]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[9]

用于相变存储器的相变材料及其制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

王勇 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106611814A ,2017-05-03

[10]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

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