用于相变存储器的相变材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510697470.2

申请日：

2015-10-23

公开(公告)号：

CN106611814A

公开(公告)日：

2017-05-03

发明(设计)人：

丁科元饶峰王勇宋志棠

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

H01L2724 G11C1300

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-03	公开	公开
2017-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101722959405 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2015106974702 申请日:20151023
2020-05-05	授权	授权

共 50 条

[1]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[2]

适用于相变存储器的相变材料及相变存储器 [P].

马平 ;

李响 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN113140674A ,2021-07-20

[3]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[4]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[5]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

[6]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[7]

一种用于相变存储器的相变材料及其制备方法 [P].

韩培高 ;

吴良才 ;

孟云 ;

宋志棠 ;

徐岭 ;

马忠元 .

中国专利 :CN104465988A ,2015-03-25

[8]

用于相变存储器的相变材料 [P].

任堃 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

彭程 ;

宋宏甲 ;

刘波 .

中国专利 :CN103050621A ,2013-04-17

[9]

用于相变存储器的相变材料 [P].

任堃 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 .

中国专利 :CN103050620A ,2013-04-17

[10]

用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 [P].

彭程 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

周夕淋 ;

朱敏 .

中国专利 :CN102134698B ,2011-07-27

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