用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010619496.2

申请日：

2010-12-31

公开(公告)号：

CN102134698B

公开(公告)日：

2011-07-27

发明(设计)人：

彭程吴良才饶峰宋志棠刘波周夕淋朱敏

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

C23C1406

IPC分类号：

C23C1435 H01L4500

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101103923389 IPC(主分类):C23C 14/06 专利申请号:2010106194962 申请日:20101231
2011-07-27	公开	公开
2013-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

章思帆 ;

吴良才 ;

刘广宇 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN110148668B ,2019-08-20

[2]

用于相变存储器的Zr-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

郑勇辉 ;

成岩 ;

刘卫丽 ;

宋三年 ;

朱敏 .

中国专利 :CN104831235A ,2015-08-12

[3]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[4]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[5]

用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法 [P].

纪兴龙 ;

吴良才 ;

朱敏 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

曹良良 ;

孟云 ;

封松林 .

中国专利 :CN104241527A ,2014-12-24

[6]

用于相变存储器的相变材料及其制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

王勇 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106611814A ,2017-05-03

[7]

用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料 [P].

韩晓东 ;

成岩 ;

王珂 ;

张泽 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

张挺 ;

封松林 .

中国专利 :CN100590903C ,2008-09-03

[8]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[9]

C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN110098322A ,2019-08-06

[10]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

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