Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910466004.1

申请日：

2019-05-31

公开(公告)号：

CN110148668B

公开(公告)日：

2019-08-20

发明(设计)人：

章思帆吴良才刘广宇宋志棠宋三年

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

钱文斌

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20190531
2022-05-17	授权	授权
2019-08-20	公开	公开

共 50 条

[1]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[2]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[3]

C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN110098322A ,2019-08-06

[4]

一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108110135A ,2018-06-01

[5]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[6]

用于相变存储器的Al-Sb-Te系列相变材料及其制备方法 [P].

彭程 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

周夕淋 ;

朱敏 .

中国专利 :CN102134698B ,2011-07-27

[7]

一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104716260A ,2015-06-17

[8]

一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN111463345B ,2020-07-28

[9]

一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

赵进 ;

宋文雄 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN111244271A ,2020-06-05

[10]

用于相变存储器的V-Sb-Te相变材料体系及其制备方法 [P].

纪兴龙 ;

吴良才 ;

朱敏 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

曹良良 ;

孟云 ;

封松林 .

中国专利 :CN104241527A ,2014-12-24

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