一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010225608.X

申请日：

2020-03-26

公开(公告)号：

CN111463345B

公开(公告)日：

2020-07-28

发明(设计)人：

薛媛宋三年宋志棠

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1414 C23C1435

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫;贾允

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-28	公开	公开
2020-08-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200326
2022-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[2]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[3]

一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108110135A ,2018-06-01

[4]

Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

章思帆 ;

吴良才 ;

刘广宇 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN110148668B ,2019-08-20

[5]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[6]

一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

赵进 ;

宋文雄 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN111244271A ,2020-06-05

[7]

C掺杂Sc-Sb-Te相变存储材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

朱敏 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN110098322A ,2019-08-06

[8]

HfN-Ge-Sb-Te相变材料及低功耗相变存储器 [P].

程晓敏 ;

范思源 ;

缪向水 .

中国专利 :CN117956889A ,2024-04-30

[9]

一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

程丽敏 ;

吴良才 ;

饶峰 ;

刘波 ;

彭程 .

中国专利 :CN102347446B ,2012-02-08

[10]

一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104716260A ,2015-06-17

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