一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010058952.4

申请日：

2020-01-19

公开(公告)号：

CN111244271A

公开(公告)日：

2020-06-05

发明(设计)人：

赵进宋文雄宋志棠

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

C23C1435

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫;贾允

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-05	公开	公开
2021-12-21	授权	授权
2020-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20200119

共 50 条

[1]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[2]

一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王禹昊 ;

黄文健 ;

宋文雄 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN119584850A ,2025-03-07

[3]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[4]

一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108110135A ,2018-06-01

[5]

Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

章思帆 ;

吴良才 ;

刘广宇 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN110148668B ,2019-08-20

[6]

一种Ta-Ge-Sb-Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN111463345B ,2020-07-28

[7]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[8]

相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN106654005A ,2017-05-10

[9]

一种相变材料、相变存储器及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

王若冰 ;

周夕淋 ;

宋三年 ;

禹宁 .

中国专利 :CN120857854A ,2025-10-28

[10]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

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