一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411614272.0

申请日：

2024-11-13

公开(公告)号：

CN119584850A

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

王禹昊黄文健宋文雄宋三年宋志棠

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H10N70/00

IPC分类号：

H10B63/10

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

魏峯

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	公开	公开
2025-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20241113

共 50 条

[1]

一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

赵进 ;

宋文雄 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN111244271A ,2020-06-05

[2]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[3]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[4]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

[5]

相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN106654005A ,2017-05-10

[6]

一种相变材料、相变存储器及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

王若冰 ;

周夕淋 ;

宋三年 ;

禹宁 .

中国专利 :CN120857854A ,2025-10-28

[7]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[8]

一种双层相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

吴良才 ;

刘广宇 ;

宋志棠 ;

李涛 ;

石建军 ;

封松林 .

中国专利 :CN109065708A ,2018-12-21

[9]

一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104716260A ,2015-06-17

[10]

一种Al-Sb-Ge相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108110135A ,2018-06-01

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