相变材料层、相变存储器单元及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510737451.8

申请日：

2015-10-30

公开(公告)号：

CN106654005A

公开(公告)日：

2017-05-10

发明(设计)人：

宋志棠丁科元饶峰

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-10	公开	公开
2019-04-16	授权	授权

共 50 条

[1]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[2]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[3]

相变材料层结构及其制备方法和相变存储器 [P].

刘峻 ;

杨红心 ;

周凌珺 .

中国专利 :CN114883485B ,2025-09-26

[4]

相变材料层结构及其制备方法和相变存储器 [P].

刘峻 ;

杨红心 ;

周凌珺 .

中国专利 :CN114883485A ,2022-08-09

[5]

一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

赵进 ;

宋文雄 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN111244271A ,2020-06-05

[6]

一种相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王禹昊 ;

黄文健 ;

宋文雄 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN119584850A ,2025-03-07

[7]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[8]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[9]

相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法 [P].

万旭东 ;

张步新 ;

吴关平 .

中国专利 :CN102487121B ,2012-06-06

[10]

相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

成岩 .

中国专利 :CN108666416A ,2018-10-16

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