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相变材料层结构及其制备方法和相变存储器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210355441.8
申请日：
2022-04-06
公开(公告)号：
CN114883485B
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
刘峻
杨红心
周凌珺
申请人：
长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请人地址：
430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室
IPC主分类号：
H10N70/00
IPC分类号：
H10N70/20
H10B63/10
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
高洁;张颖玲
法律状态：
授权
国省代码：
河北省
石家庄市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-26 | 授权 | 授权 |