相变存储器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111022550.X
申请日
2021-09-01
公开(公告)号
CN113838886A
公开(公告)日
2021-12-24
发明(设计)人
黄家恩 陈彬 丁科元 饶峰
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号
IPC主分类号
H01L2724
IPC分类号
H01L4500
代理机构
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287
代理人
杨培权
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
相变存储器及其制备方法 [P]. 
王玉婵 ;
陈小刚 ;
陈一峰 ;
王月青 ;
宋志棠 ;
刘波 .
中国专利 :CN104201282B ,2014-12-10
[2]
相变存储器及其制备方法 [P]. 
周凌珺 ;
杨红心 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114784049B ,2025-08-12
[3]
相变存储器及其制备方法 [P]. 
周凌珺 ;
杨红心 ;
刘峻 .
中国专利 :CN114784049A ,2022-07-22
[4]
相变存储器及其制备方法 [P]. 
周凌珺 ;
杨红心 ;
刘峻 .
中国专利 :CN121240459A ,2025-12-30
[5]
相变存储器及其制备方法 [P]. 
刘峻 ;
张恒 ;
杨红心 .
中国专利 :CN113871413A ,2021-12-31
[6]
相变存储器的制备方法和相变存储器 [P]. 
黄仕璋 ;
李宜政 ;
刘育宏 .
中国专利 :CN115428159B ,2025-10-03
[7]
相变材料层结构及其制备方法和相变存储器 [P]. 
刘峻 ;
杨红心 ;
周凌珺 .
中国专利 :CN114883485B ,2025-09-26
[8]
相变存储器的制备方法和相变存储器 [P]. 
廖昱程 .
中国专利 :CN115443537A ,2022-12-06
[9]
相变材料层结构及其制备方法和相变存储器 [P]. 
刘峻 ;
杨红心 ;
周凌珺 .
中国专利 :CN114883485A ,2022-08-09
[10]
相变存储器的制备方法和相变存储器 [P]. 
黄仕璋 ;
李宜政 ;
刘育宏 .
中国专利 :CN115428159A ,2022-12-02