相变存储器单元及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710215955.2

申请日：

2017-04-01

公开(公告)号：

CN108666416A

公开(公告)日：

2018-10-16

发明(设计)人：

宋志棠丁科元成岩

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20170401
2020-06-30	授权	授权
2018-10-16	公开	公开

共 50 条

[1]

相变超晶格薄膜、相变存储器单元及其制备方法 [P].

丁科元 ;

饶峰 ;

曾燮榕 .

中国专利 :CN108987567A ,2018-12-11

[2]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[3]

相变存储器存储单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

刘波 ;

封松林 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN100461484C ,2007-03-21

[4]

相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN106654005A ,2017-05-10

[5]

Y‑Sb‑Te 相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

王勇 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

吴良才 ;

丁科元 ;

李涛 .

中国专利 :CN107768516A ,2018-03-06

[6]

一种相变存储器单元及其制备方法 [P].

饶峰 ;

丁科元 ;

夏梦娇 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN103794723A ,2014-05-14

[7]

存储单元及其制备方法和相变存储器 [P].

王青 ;

陈一峰 ;

李明 ;

汪洋 .

中国专利 :CN118055690A ,2024-05-17

[8]

相变存储单元、相变存储器及其制备方法、电子设备 [P].

李响 ;

李天宇 ;

谭海波 ;

陈一峰 ;

马平 .

中国专利 :CN114864811A ,2022-08-05

[9]

相变存储器及其制备方法 [P].

王玉婵 ;

陈小刚 ;

陈一峰 ;

王月青 ;

宋志棠 ;

刘波 .

中国专利 :CN104201282B ,2014-12-10

[10]

相变存储器及其制备方法 [P].

黄家恩 ;

陈彬 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN113838886A ,2021-12-24

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