相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410075734.6

申请日：

2014-03-04

公开(公告)号：

CN103904215A

公开(公告)日：

2014-07-02

发明(设计)人：

程国胜张杰孔涛黄荣卫芬芬

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

宋鹰武;沈祖锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584085965 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2014100757346 申请日:20140304
2017-12-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 45/00 申请公布日:20140702
2014-07-02	公开	公开

共 50 条

[1]

相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN106654005A ,2017-05-10

[2]

相变存储器单元 [P].

P·G·卡佩莱蒂 ;

G·纳瓦罗 .

中国专利 :CN113299825A ,2021-08-24

[3]

相变存储器单元 [P].

G·纳瓦罗 ;

C·德卡马雷特 .

法国专利 :CN120021410A ,2025-05-20

[4]

相变存储器单元 [P].

P·G·卡佩莱蒂 ;

G·纳瓦罗 .

法国专利 :CN113299825B ,2024-09-27

[5]

适用于相变存储器的相变材料及相变存储器 [P].

马平 ;

李响 ;

陈鑫 .

中国专利 :CN113140674A ,2021-07-20

[6]

相变存储器单元和用于制造相变存储器单元的方法 [P].

P·祖里亚尼 ;

G·孔法洛涅里 ;

A·吉拉尔迪尼 ;

C·L·佩瑞里尼 .

中国专利 :CN107546324A ,2018-01-05

[7]

相变存储单元及相变存储器 [P].

柳鹏 ;

李群庆 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN102231424A ,2011-11-02

[8]

相变超晶格材料及其相变存储器单元 [P].

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN113594359A ,2021-11-02

[9]

相变存储单元及相变存储器 [P].

洪红维 ;

黄崇礼 .

中国专利 :CN102270505A ,2011-12-07

[10]

相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

成岩 .

中国专利 :CN108666416A ,2018-10-16

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