相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010573359.X

申请日：

2010-12-03

公开(公告)号：

CN102487121B

公开(公告)日：

2012-06-06

发明(设计)人：

万旭东张步新吴关平

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-06	公开	公开
2014-07-30	授权	授权
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101481346509 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:201010573359X 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121106
2012-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101302726846 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:201010573359X 申请日:20101203

共 50 条

[1]

相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列 [P].

李莹 ;

吴关平 .

中国专利 :CN104078563A ,2014-10-01

[2]

相变存储器单元形成方法 [P].

张翼英 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102237492B ,2011-11-09

[3]

相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法 [P].

黄洸汉 ;

杨智超 ;

J·C·阿诺德 ;

L·L·赫萨 ;

M·C·盖迪斯 ;

T·J·多尔顿 ;

C·J·拉登斯 ;

L·A·克莱文杰 .

中国专利 :CN101047230A ,2007-10-03

[4]

相变存储器及其形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102760831A ,2012-10-31

[5]

相变存储器及其形成方法 [P].

李莹 ;

朱南飞 ;

吴关平 .

中国专利 :CN103855300B ,2014-06-11

[6]

相变存储器及其形成方法 [P].

朱南飞 ;

吴关平 ;

任佳栋 .

中国专利 :CN103022348A ,2013-04-03

[7]

相变存储器及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

涂火金 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102569645A ,2012-07-11

[8]

相变存储器及其形成方法 [P].

伏广才 ;

李志超 .

中国专利 :CN105655486A ,2016-06-08

[9]

相变存储器单元及其形成方法 [P].

李志超 ;

伏广才 .

中国专利 :CN105448947A ,2016-03-30

[10]

相变存储器及其形成方法 [P].

李志超 ;

伏广才 .

中国专利 :CN105720191B ,2016-06-29

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