相变存储器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410720640.X

申请日：

2014-12-02

公开(公告)号：

CN105720191B

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

李志超伏广才

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	授权	授权
2016-07-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101671896077 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:201410720640X 申请日:20141202
2016-06-29	公开	公开

共 50 条

[1]

相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列 [P].

李莹 ;

吴关平 .

中国专利 :CN104078563A ,2014-10-01

[2]

相变存储器及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103594619B ,2014-02-19

[3]

相变存储器及其形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102760831A ,2012-10-31

[4]

相变存储器及其形成方法 [P].

李莹 ;

朱南飞 ;

吴关平 .

中国专利 :CN103855300B ,2014-06-11

[5]

相变存储器及其形成方法 [P].

张超 .

中国专利 :CN106298481A ,2017-01-04

[6]

相变存储器及其形成方法 [P].

朱南飞 ;

吴关平 ;

任佳栋 .

中国专利 :CN103022348A ,2013-04-03

[7]

相变存储器及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

涂火金 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102569645A ,2012-07-11

[8]

相变存储器及其形成方法 [P].

伏广才 ;

李志超 .

中国专利 :CN105655486A ,2016-06-08

[9]

相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法 [P].

万旭东 ;

张步新 ;

吴关平 .

中国专利 :CN102487121B ,2012-06-06

[10]

相变存储器形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102544360A ,2012-07-04

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