相变存储器及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210287381.7
申请日
2012-08-13
公开(公告)号
CN103594619B
公开(公告)日
2014-02-19
发明(设计)人
洪中山
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
李志超 ;
伏广才 .
中国专利 :CN105720191B ,2016-06-29
[2]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
张超 .
中国专利 :CN106298481A ,2017-01-04
[3]
相变存储器形成方法 [P]. 
蒋莉 ;
黎铭琦 .
中国专利 :CN102544360A ,2012-07-04
[4]
相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列 [P]. 
李莹 ;
吴关平 .
中国专利 :CN104078563A ,2014-10-01
[5]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
李莹 .
中国专利 :CN104518084A ,2015-04-15
[6]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
何作鹏 ;
李志超 ;
赵洪波 .
中国专利 :CN105244437A ,2016-01-13
[7]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
蒋莉 ;
黎铭琦 .
中国专利 :CN102760831A ,2012-10-31
[8]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
李莹 ;
朱南飞 ;
吴关平 .
中国专利 :CN103855300B ,2014-06-11
[9]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
伏广才 ;
李志超 .
中国专利 :CN105552217A ,2016-05-04
[10]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
张超 ;
周儒领 ;
张庆勇 .
中国专利 :CN108630806A ,2018-10-09