相变存储器单元形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201010168871.6
申请日
2010-04-29
公开(公告)号
CN102237492B
公开(公告)日
2011-11-09
发明(设计)人
张翼英 洪中山
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L4500
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
骆苏华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
相变存储器的形成方法 [P]. 
任万春 .
中国专利 :CN102709469A ,2012-10-03
[2]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
伏广才 ;
李志超 .
中国专利 :CN105655486A ,2016-06-08
[3]
相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法 [P]. 
万旭东 ;
张步新 ;
吴关平 .
中国专利 :CN102487121B ,2012-06-06
[4]
相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列 [P]. 
李莹 ;
吴关平 .
中国专利 :CN104078563A ,2014-10-01
[5]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
蒋莉 ;
黎铭琦 .
中国专利 :CN102760831A ,2012-10-31
[6]
相变存储器的形成方法 [P]. 
任万春 ;
宋志棠 .
中国专利 :CN102637820A ,2012-08-15
[7]
相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法 [P]. 
黄洸汉 ;
杨智超 ;
J·C·阿诺德 ;
L·L·赫萨 ;
M·C·盖迪斯 ;
T·J·多尔顿 ;
C·J·拉登斯 ;
L·A·克莱文杰 .
中国专利 :CN101047230A ,2007-10-03
[8]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
何作鹏 ;
李志超 ;
赵洪波 .
中国专利 :CN105244437A ,2016-01-13
[9]
相变存储器及其形成方法 [P]. 
李莹 ;
朱南飞 ;
吴关平 .
中国专利 :CN103855300B ,2014-06-11
[10]
相变存储器的形成方法 [P]. 
张翼英 ;
何其旸 .
中国专利 :CN102956820B ,2013-03-06