一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210551303.7

申请日：

2022-05-18

公开(公告)号：

CN115000296B

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

周夕淋朱栩旭宋志棠宋三年

申请人：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10B63/10

代理机构：

上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233

代理人：

曹敏

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种界面相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周夕淋 ;

朱栩旭 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN115000296A ,2022-09-02

[2]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818A ,2022-08-05

[3]

相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周凌珺 ;

杨红心 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114864818B ,2025-08-15

[4]

一种高密度相变存储材料、相变存储器及其制备方法 [P].

周夕淋 ;

郑加 ;

宋志棠 ;

宋三年 .

中国专利 :CN114709330A ,2022-07-05

[5]

一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 [P].

郭艳蓉 .

中国专利 :CN113161480B ,2021-07-23

[6]

相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 [P].

吕业刚 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102544355B ,2012-07-04

[7]

一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法 [P].

王青 ;

刘波 ;

夏洋洋 ;

张中华 ;

宋三年 ;

宋志棠 ;

封松林 .

中国专利 :CN104409628B ,2015-03-11

[8]

Ge‑Sb‑Se相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

郭天琪 ;

宋三年 ;

沈兰兰 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106299113A ,2017-01-04

[9]

相变薄膜材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

李乐 ;

宋三年 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN106711325A ,2017-05-24

[10]

Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法 [P].

薛媛 ;

宋三年 ;

郭天琪 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN108899417A ,2018-11-27

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