一种超高纯铜锰合金的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111049759.5
申请日
2021-09-08
公开(公告)号
CN113737011A
公开(公告)日
2021-12-03
发明(设计)人
姚力军 潘杰 边逸军 王学泽 慕二龙 汪焱斌
申请人
申请人地址
315400 浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
IPC主分类号
C22B922
IPC分类号
C22B904 C22C102 C22C905 C23G110 B22F315
代理机构
北京远智汇知识产权代理有限公司 11659
代理人
王岩
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种超高纯铜锰合金及其处理方法 [P]. 
姚力军 ;
潘杰 ;
边逸军 ;
王学泽 ;
慕二龙 .
中国专利 :CN111705276B ,2020-09-25
[2]
一种超高纯铜锰合金溅射靶材的铸锭熔炼方法 [P]. 
杨文魁 ;
尚再艳 ;
张博厚 ;
吕保国 ;
朱孜毅 ;
张巧霞 ;
曾浩 ;
蒋媛媛 ;
滕海涛 ;
万小勇 .
中国专利 :CN117758087A ,2024-03-26
[3]
一种超高纯铜锰合金的熔炼工艺 [P]. 
姚力军 ;
潘杰 ;
郭廷宏 ;
孙银祥 .
中国专利 :CN115612872A ,2023-01-17
[4]
一种集成电路用超高纯铜铝合金的制备方法 [P]. 
姚力军 ;
郭廷宏 ;
仝连海 .
中国专利 :CN120119132A ,2025-06-10
[5]
一种超高纯铜铸锭缺陷消除方法 [P]. 
姚力军 ;
潘杰 ;
边逸军 ;
王学泽 ;
慕二龙 .
中国专利 :CN111218630A ,2020-06-02
[6]
一种制备超纯铜的方法 [P]. 
李永军 ;
武浚 ;
闫忠强 ;
杨艳 ;
马永峰 ;
卢越刚 ;
张志成 ;
禹泽海 .
中国专利 :CN101280430A ,2008-10-08
[7]
一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法 [P]. 
易骛文 ;
姚力军 ;
潘杰 .
中国专利 :CN115338374A ,2022-11-15
[8]
一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法 [P]. 
易骛文 ;
姚力军 ;
潘杰 .
中国专利 :CN115338374B ,2024-02-06
[9]
一种超高纯铜的制备方法 [P]. 
姚力军 ;
郭廷宏 ;
于德鑫 ;
任保佑 ;
贺晓涛 .
中国专利 :CN121110110A ,2025-12-12
[10]
一种超高纯铜的制备方法 [P]. 
姚力军 ;
潘杰 ;
郭廷宏 ;
孙银祥 .
中国专利 :CN115537577A ,2022-12-30