一种具有选择性探测Fe3+离子的发光晶体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710543173.1

申请日：

2017-07-05

公开(公告)号：

CN107384373B

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

夏友付沈悦王清常永侠杨永建曹帅

申请人：

申请人地址：

236800 安徽省亳州市南部新区汤王大道2266号

IPC主分类号：

C07F306

IPC分类号：

C09K1106 C08G8300

代理机构：

合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115

代理人：

金凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/06 申请日:20170705
2017-11-24	公开	公开
2019-10-11	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有选择性探测Fe3+离子的发光晶体材料的制备方法 [P].

张金方 ;

龚林培 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN106866989B ,2017-06-20

[2]

一种具有选择性探测Al3+离子的发光晶体材料的制备方法 [P].

张金方 ;

龚林培 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN106905535A ,2017-06-30

[3]

一种具有选择性探测Cu（Ⅱ）的发光晶体材料的制备方法及其发光晶体材料 [P].

张金方 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN108690059A ,2018-10-23

[4]

一种具有选择性探测重铬酸根离子的发光晶体材料的制备 [P].

张金方 ;

龚林培 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN107011367A ,2017-08-04

[5]

一种Ce-MOF发光可调晶体材料及其制备方法和发光调控方法 [P].

房贞兰 ;

丁魏林森 ;

袁小云 ;

陈宝军 ;

张兰天 ;

王梦云 ;

鞠强 ;

黄维 .

中国专利 :CN109957113A ,2019-07-02

[6]

基于MOF材料的镉离子选择性电极的制备方法及其应用 [P].

王诗雨 ;

郭智勇 ;

郝婷婷 .

中国专利 :CN112326759B ,2021-02-05

[7]

一种晶体材料及其制备方法和在对水体中铅(Ⅱ)高选择性捕获中的应用 [P].

罗家华 ;

文伟样 ;

胡冰 ;

冯美玲 ;

黄小荥 .

中国专利 :CN118994264A ,2024-11-22

[8]

稀土离子溶液中选择性去除铝离子的复合材料及其制备方法 [P].

匡敬忠 ;

原伟泉 ;

黄哲誉 ;

王笑圆 ;

张绍彦 ;

肖俊杰 ;

杨易强 ;

程浩 .

中国专利 :CN112316895B ,2021-02-05

[9]

一种钾离子选择性薄膜及其制备方法 [P].

高鹏程 ;

吴晓庆 ;

陈雅捷 .

中国专利 :CN115364679A ,2022-11-22

[10]

一种选择性吸附镉离子的介孔印迹材料的制备方法 [P].

田大勇 ;

彭云峰 ;

杨爽 ;

郑勇 ;

吕会超 ;

彭聪虎 ;

贾太轩 ;

侯绍刚 .

中国专利 :CN105396555A ,2016-03-16

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