一种具有选择性探测Al3+离子的发光晶体材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710082934.8

申请日：

2017-02-16

公开(公告)号：

CN106905535A

公开(公告)日：

2017-06-30

发明(设计)人：

张金方龚林培吴俊洁冯姣阳

申请人：

申请人地址：

214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号

IPC主分类号：

C08G8300

IPC分类号：

C09K1106 G01N2164

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101736961909 IPC(主分类):C08G 83/00 专利申请号:2017100829348 申请日:20170216
2017-06-30	公开	公开
2020-04-07	授权	授权
2023-01-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C08G 83/00 申请日:20170216 授权公告日:20200407 终止日期:20220216

共 50 条

[1]

一种具有选择性探测Fe3+离子的发光晶体材料的制备方法 [P].

张金方 ;

龚林培 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN106866989B ,2017-06-20

[2]

一种具有选择性探测重铬酸根离子的发光晶体材料的制备 [P].

张金方 ;

龚林培 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN107011367A ,2017-08-04

[3]

一种具有选择性探测Cu（Ⅱ）的发光晶体材料的制备方法及其发光晶体材料 [P].

张金方 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN108690059A ,2018-10-23

[4]

一种具有选择性探测Fe3+离子的发光晶体材料及其制备方法 [P].

夏友付 ;

沈悦 ;

王清 ;

常永侠 ;

杨永建 ;

曹帅 .

中国专利 :CN107384373B ,2017-11-24

[5]

一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料的制备 [P].

张金方 ;

贾雯 ;

任思猛 .

中国专利 :CN110655529A ,2020-01-07

[6]

一种发光增强水相检测Bi3+的发光晶体材料的制备方法 [P].

张金方 ;

李文静 ;

林卓 .

中国专利 :CN114671898B ,2022-06-28

[7]

稀土离子溶液中选择性去除铝离子的复合材料及其制备方法 [P].

匡敬忠 ;

原伟泉 ;

黄哲誉 ;

王笑圆 ;

张绍彦 ;

肖俊杰 ;

杨易强 ;

程浩 .

中国专利 :CN112316895B ,2021-02-05

[8]

可高灵敏探测2,4,6-三硝基苯酚的发光晶体材料的制备 [P].

张金方 ;

吴俊洁 ;

冯姣阳 .

中国专利 :CN108034990B ,2018-05-15

[9]

对铜离子具有选择性吸附的碳基吸附材料的制备方法 [P].

石磊 ;

彭维 ;

程舸 ;

刘晓梅 ;

谢珍珍 .

中国专利 :CN104587969B ,2015-05-06

[10]

一种在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法和产品 [P].

张金方 ;

任思猛 ;

贾雯 .

中国专利 :CN111704724A ,2020-09-25

← 1 2 3 4 5 →