一种快速高灵敏探测高锰酸根离子的发光晶体材料的制备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910997633.7
申请日
2019-10-21
公开(公告)号
CN110655529A
公开(公告)日
2020-01-07
发明(设计)人
张金方 贾雯 任思猛
申请人
申请人地址
214122 江苏省无锡市滨湖区蠡湖大道1800号
IPC主分类号
C07F308
IPC分类号
C09K1106 G01N2164
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种在水溶液中可高灵敏探测苦味酸的发光晶体材料的制备方法和产品 [P]. 
张金方 ;
任思猛 ;
贾雯 .
中国专利 :CN111704724A ,2020-09-25
[2]
一种极灵敏水相检测高锰酸根发光晶体材料的制备方法和应用 [P]. 
张金方 ;
林卓 ;
李文静 .
中国专利 :CN113845534A ,2021-12-28
[3]
一种具有选择性探测重铬酸根离子的发光晶体材料的制备 [P]. 
张金方 ;
龚林培 ;
吴俊洁 ;
冯姣阳 .
中国专利 :CN107011367A ,2017-08-04
[4]
可高灵敏探测2,4,6-三硝基苯酚的发光晶体材料的制备 [P]. 
张金方 ;
吴俊洁 ;
冯姣阳 .
中国专利 :CN108034990B ,2018-05-15
[5]
一种用于检测高锰酸根离子的荧光探针及其制备方法 [P]. 
王麒翔 .
中国专利 :CN119529828A ,2025-02-28
[6]
一种用于检测高锰酸根离子的荧光探针及其制备方法 [P]. 
王麒翔 .
中国专利 :CN119529828B ,2025-06-27
[7]
一种高灵敏水相探测2,4,6-三硝基苯酚的发光晶体材料的制备方法和产品 [P]. 
张金方 ;
邱晴霞 ;
相前 .
中国专利 :CN111705364B ,2020-09-25
[8]
一种具有选择性探测Al3+离子的发光晶体材料的制备方法 [P]. 
张金方 ;
龚林培 ;
吴俊洁 ;
冯姣阳 .
中国专利 :CN106905535A ,2017-06-30
[9]
一种具有选择性探测Cu(Ⅱ)的发光晶体材料的制备方法及其发光晶体材料 [P]. 
张金方 ;
吴俊洁 ;
冯姣阳 .
中国专利 :CN108690059A ,2018-10-23
[10]
含高锰酸根离子的水及其制造方法 [P]. 
高桥正好 .
中国专利 :CN106660823A ,2017-05-10