功率半导体器件与功率模块

被引：0

申请号：

CN202222408643.2

申请日：

2022-09-09

公开(公告)号：

CN218123400U

公开(公告)日：

2022-12-23

发明(设计)人：

党晓波李高显邹军军

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市吴中区太湖街道友翔路99号A座4-7层

IPC主分类号：

H01L23495

IPC分类号：

H01L23367

代理机构：

深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287

代理人：

涂超群

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-23	授权	授权

共 50 条

[1]

功率半导体器件与功率模块 [P].

党晓波 ;

李高显 ;

邹军军 .

中国专利 :CN217903114U ,2022-11-25

[2]

功率半导体器件的封装结构与功率模块 [P].

李高显 ;

党晓波 ;

王锁海 .

中国专利 :CN214505484U ,2021-10-26

[3]

功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块 [P].

林仲康 ;

魏晓光 ;

唐新灵 ;

王亮 ;

杜玉杰 ;

周扬 ;

王磊 .

中国专利 :CN115621232B ,2024-04-12

[4]

功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块 [P].

林仲康 ;

魏晓光 ;

唐新灵 ;

王亮 ;

杜玉杰 ;

周扬 ;

王磊 .

中国专利 :CN115621232A ,2023-01-17

[5]

半导体器件、功率器件以及功率模块 [P].

川城史义 .

日本专利 :CN119866537A ,2025-04-22

[6]

一种功率半导体器件和功率模块 [P].

付甲星 ;

富勤飞 ;

张志国 .

中国专利 :CN119133124A ,2024-12-13

[7]

功率半导体器件布置和功率半导体器件模块 [P].

马丁·舒尔茨 .

中国专利 :CN118588701A ,2024-09-03

[8]

半导体器件功率模块 [P].

胡家喜 ;

孙保涛 ;

李彦涌 ;

杨进峰 ;

罗凌波 ;

姚磊 ;

刘海涛 ;

朱武 ;

刘少奇 ;

马振宇 ;

罗剑波 ;

周伟军 .

中国专利 :CN103633818A ,2014-03-12

[9]

功率半导体器件堆叠、功率模块和生产功率半导体器件堆叠的方法 [P].

A·莫德 ;

A·皮乔尼 ;

H-J·舒尔策 ;

E·菲尔古特 .

德国专利 :CN120977968A ,2025-11-18

[10]

一种功率半导体模块和功率半导体器件 [P].

新居良英 ;

刘乐 ;

刘莉飞 ;

王庆凯 ;

高崎哲 ;

苟文辉 .

中国专利 :CN210516724U ,2020-05-12

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