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功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块
被引:0
申请号
:
CN202211405492.3
申请日
:
2022-11-10
公开(公告)号
:
CN115621232A
公开(公告)日
:
2023-01-17
发明(设计)人
:
林仲康
魏晓光
唐新灵
王亮
杜玉杰
周扬
王磊
申请人
:
申请人地址
:
102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
IPC主分类号
:
H01L2348
IPC分类号
:
H01L23495
代理机构
:
北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250
代理人
:
李静玉
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2023-01-17
公开
公开
2023-02-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20221110
共 50 条
[1]
功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块
[P].
林仲康
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京智慧能源研究院
北京智慧能源研究院
林仲康
;
魏晓光
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
北京智慧能源研究院
北京智慧能源研究院
魏晓光
;
唐新灵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京智慧能源研究院
北京智慧能源研究院
唐新灵
;
王亮
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京智慧能源研究院
北京智慧能源研究院
王亮
;
杜玉杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京智慧能源研究院
北京智慧能源研究院
杜玉杰
;
周扬
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京智慧能源研究院
北京智慧能源研究院
周扬
;
王磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
北京智慧能源研究院
北京智慧能源研究院
王磊
.
中国专利
:CN115621232B
,2024-04-12
[2]
功率半导体器件布置和功率半导体器件模块
[P].
马丁·舒尔茨
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
力特半导体(无锡)有限公司
力特半导体(无锡)有限公司
马丁·舒尔茨
.
中国专利
:CN118588701A
,2024-09-03
[3]
功率半导体器件封装结构
[P].
田伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
田伟
;
廖兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
廖兵
.
中国专利
:CN115116975A
,2022-09-27
[4]
功率半导体器件封装结构
[P].
田伟
论文数:
0
引用数:
0
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0
田伟
;
廖兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
廖兵
.
中国专利
:CN218482234U
,2023-02-14
[5]
功率半导体器件封装结构
[P].
黄杭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏长电科技股份有限公司
江苏长电科技股份有限公司
黄杭
;
王赵云
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
江苏长电科技股份有限公司
江苏长电科技股份有限公司
王赵云
.
中国专利
:CN222126513U
,2024-12-06
[6]
功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法
[P].
D·特拉塞尔
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
D·特拉塞尔
;
H·拜尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
H·拜尔
;
M·马利基
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
日立能源有限公司
日立能源有限公司
M·马利基
.
:CN116830247B
,2024-08-09
[7]
功率半导体器件与功率模块
[P].
党晓波
论文数:
0
引用数:
0
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0
党晓波
;
李高显
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李高显
;
邹军军
论文数:
0
引用数:
0
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0
邹军军
.
中国专利
:CN218123400U
,2022-12-23
[8]
功率半导体器件
[P].
金台勳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金台勳
;
高民求
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
高民求
;
朴庆善
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
朴庆善
;
金永哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金永哲
;
金钟燮
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金钟燮
;
炉贞仁
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
炉贞仁
.
韩国专利
:CN120302681A
,2025-07-11
[9]
功率半导体器件
[P].
晏新海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
晏新海
.
中国专利
:CN111540723A
,2020-08-14
[10]
功率半导体器件和功率半导体芯片
[P].
李珠焕
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
现代摩比斯株式会社
现代摩比斯株式会社
李珠焕
.
韩国专利
:CN113745322B
,2025-02-07
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