功率半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411189878.4

申请日：

2024-08-28

公开(公告)号：

CN120302681A

公开(公告)日：

2025-07-11

发明(设计)人：

金台勳高民求朴庆善金永哲金钟燮炉贞仁

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D64/27

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

王蕙珺;黄晓燕

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

功率半导体器件 [P].

金信儿 ;

金台烨 ;

河定穆 ;

禹赫 .

中国专利 :CN114628520A ,2022-06-14

[2]

功率半导体器件 [P].

金信儿 ;

金台烨 ;

河定穆 ;

禹赫 .

韩国专利 :CN114628520B ,2025-09-19

[3]

功率半导体器件 [P].

Y·阿朗戈 ;

G·罗马诺 ;

A·米哈埃拉 ;

M·贝利尼 ;

L·克诺尔 .

:CN117063292B ,2024-06-07

[4]

功率半导体器件 [P].

金台勋 ;

高民求 ;

金永哲 ;

金锺燮 ;

朴庆善 ;

朴永焕 .

韩国专利 :CN120475727A ,2025-08-12

[5]

功率半导体器件 [P].

周锌 ;

赵凯 ;

王睿迪 ;

乔明 ;

张波 .

中国专利 :CN109698196A ,2019-04-30

[6]

功率半导体器件 [P].

穆纳福·拉希莫 ;

彼得·斯特赖特 .

中国专利 :CN101228635B ,2008-07-23

[7]

功率半导体器件 [P].

李珠焕 .

韩国专利 :CN118507521A ,2024-08-16

[8]

功率半导体器件 [P].

河定穆 ;

禹赫 ;

金台烨 ;

崔东桓 ;

金信儿 .

中国专利 :CN115602700A ,2023-01-13

[9]

功率半导体器件 [P].

吴政勳 .

中国专利 :CN103811541B ,2014-05-21

[10]

功率半导体器件 [P].

L·施托拉施塔 ;

A·科普塔 ;

M·拉希莫 .

中国专利 :CN102934231A ,2013-02-13

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