功率半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201180029814.2
申请日
2011-06-17
公开(公告)号
CN102934231A
公开(公告)日
2013-02-13
发明(设计)人
L·施托拉施塔 A·科普塔 M·拉希莫
申请人
申请人地址
瑞士苏黎世
IPC主分类号
H01L29739
IPC分类号
H01L2910 H01L2906 H01L2978
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
张金金;朱海煜
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
功率半导体器件 [P]. 
F·鲍尔 .
中国专利 :CN102315257B ,2012-01-11
[2]
功率半导体器件 [P]. 
Y·阿朗戈 ;
G·罗马诺 ;
A·米哈埃拉 ;
M·贝利尼 ;
L·克诺尔 .
:CN117063292B ,2024-06-07
[3]
功率半导体器件 [P]. 
金台勳 ;
高民求 ;
朴庆善 ;
金永哲 ;
金钟燮 ;
炉贞仁 .
韩国专利 :CN120302681A ,2025-07-11
[4]
功率半导体器件 [P]. 
朴在勋 ;
吴知然 ;
金智慧 ;
徐东秀 ;
尹善载 .
中国专利 :CN105609540A ,2016-05-25
[5]
功率半导体器件 [P]. 
宋辉 ;
张太之 ;
曹玉昭 ;
唐曙华 ;
时尚起 ;
严波 ;
邵兆军 .
中国专利 :CN212113715U ,2020-12-08
[6]
功率半导体器件 [P]. 
金台勋 ;
高民求 ;
金永哲 ;
金锺燮 ;
朴庆善 ;
朴永焕 .
韩国专利 :CN120475727A ,2025-08-12
[7]
功率半导体器件 [P]. 
周锌 ;
赵凯 ;
王睿迪 ;
乔明 ;
张波 .
中国专利 :CN109698196A ,2019-04-30
[8]
功率半导体器件 [P]. 
穆纳福·拉希莫 ;
彼得·斯特赖特 .
中国专利 :CN101228635B ,2008-07-23
[9]
功率半导体器件 [P]. 
金信儿 ;
金台烨 ;
河定穆 ;
禹赫 .
中国专利 :CN114628520A ,2022-06-14
[10]
功率半导体器件 [P]. 
金信儿 ;
金台烨 ;
河定穆 ;
禹赫 .
韩国专利 :CN114628520B ,2025-09-19