一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710432379.7

申请日：

2017-06-09

公开(公告)号：

CN107390256A

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

杨建春

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区马陆镇博学路1288号1幢2层A区

IPC主分类号：

G01T1202

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	公开	公开
2018-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01T 1/202 申请日:20170609
2020-05-01	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):G01T 1/202 变更事项:申请人变更前:上海翌波光电科技股份有限公司变更后:上海翌波光电科技有限公司变更事项:地址变更前:201800 上海市嘉定区马陆镇博学路1288号1幢2层A区变更后:201800 上海市嘉定区马陆镇博学路1288号1幢2层A区
2021-04-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01T 1/202 申请公布日:20171124

共 50 条

[1]

非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术 [P].

沈定中 ;

殷之文 ;

邓群 ;

马铭华 .

中国专利 :CN1199105A ,1998-11-18

[2]

以单质粉末为脱氧剂的掺铊碘化铯晶体生长技术 [P].

任国浩 ;

陈晓峰 ;

李中波 ;

丁栋舟 ;

薛炫萍 ;

齐玲君 .

中国专利 :CN1546745A ,2004-11-17

[3]

一种碘化铯晶体 [P].

罗希勇 .

中国专利 :CN209231520U ,2019-08-09

[4]

一种掺铊碘化铯闪烁体及其应用 [P].

吴云涛 ;

任国浩 ;

陈晓峰 ;

李焕英 ;

潘尚可 .

中国专利 :CN104762657A ,2015-07-08

[5]

一种掺铊碘化铯复合薄膜及其制备方法 [P].

刘爽 ;

田春回 ;

孙锦涛 ;

许峻文 ;

张尚剑 ;

刘永 .

中国专利 :CN108342688A ,2018-07-31

[6]

共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

吴云涛 ;

任国浩 ;

陈晓峰 ;

李焕英 ;

潘尚可 .

中国专利 :CN103388179B ,2013-11-13

[7]

一种掺铊的碘化铯复合薄膜及其制备方法 [P].

刘光辉 ;

刘茜 ;

周真真 ;

费凡 ;

魏钦华 ;

杨华 .

中国专利 :CN104561901A ,2015-04-29

[8]

一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法 [P].

刘爽 ;

谭晓川 ;

王天钰 ;

谢翼骏 ;

马世俊 ;

郭丽娜 ;

刘永 ;

钟智勇 .

中国专利 :CN107164734A ,2017-09-15

[9]

一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法 [P].

刘爽 ;

谭晓川 ;

王天钰 ;

谢翼骏 ;

马世俊 ;

郭丽娜 ;

张尚剑 ;

刘永 ;

钟智勇 .

中国专利 :CN107201500A ,2017-09-26

[10]

一种具有透镜组的掺铊碘化铯闪烁晶体辐射探测器 [P].

魏海清 .

中国专利 :CN110837099A ,2020-02-25

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