一种掺铊的碘化铯复合薄膜及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310499469.X
申请日
2013-10-22
公开(公告)号
CN104561901A
公开(公告)日
2015-04-29
发明(设计)人
刘光辉 刘茜 周真真 费凡 魏钦华 杨华
申请人
申请人地址
200050 上海市长宁区定西路1295号
IPC主分类号
C23C1416
IPC分类号
C23C1410 C23C1446
代理机构
上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258
代理人
何葆芳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种掺铊碘化铯复合薄膜及其制备方法 [P]. 
刘爽 ;
田春回 ;
孙锦涛 ;
许峻文 ;
张尚剑 ;
刘永 .
中国专利 :CN108342688A ,2018-07-31
[2]
一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法 [P]. 
刘爽 ;
谭晓川 ;
王天钰 ;
谢翼骏 ;
马世俊 ;
郭丽娜 ;
张尚剑 ;
刘永 ;
钟智勇 .
中国专利 :CN107201500A ,2017-09-26
[3]
一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法 [P]. 
刘爽 ;
谭晓川 ;
王天钰 ;
谢翼骏 ;
马世俊 ;
郭丽娜 ;
刘永 ;
钟智勇 .
中国专利 :CN107164734A ,2017-09-15
[4]
掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法 [P]. 
刘爽 ;
郭丽娜 ;
张红柳 ;
陈静 ;
钟智勇 .
中国专利 :CN103305925A ,2013-09-18
[5]
掺铊碘化铯(CsI:T1)薄膜的一种制备方法 [P]. 
刘爽 ;
张佳宁 ;
钟智勇 .
中国专利 :CN101967678A ,2011-02-09
[6]
一种掺铊碘化铯闪烁体及其应用 [P]. 
吴云涛 ;
任国浩 ;
陈晓峰 ;
李焕英 ;
潘尚可 .
中国专利 :CN104762657A ,2015-07-08
[7]
碘化铯和掺铊碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺 [P]. 
唐华纯 ;
李国荣 ;
曹家军 ;
吴中元 .
中国专利 :CN102383195A ,2012-03-21
[8]
共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 [P]. 
吴云涛 ;
任国浩 ;
陈晓峰 ;
李焕英 ;
潘尚可 .
中国专利 :CN103388179B ,2013-11-13
[9]
一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 [P]. 
贡浩飞 ;
朱磊 .
中国专利 :CN109705854A ,2019-05-03
[10]
一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术 [P]. 
杨建春 .
中国专利 :CN107390256A ,2017-11-24