掺铊碘化铯薄膜表面缺陷处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310269684.0

申请日：

2013-06-28

公开(公告)号：

CN103305925A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

刘爽郭丽娜张红柳陈静钟智勇

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

C30B3302

IPC分类号：

C30B2912

代理机构：

成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227

代理人：

李顺德

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	公开	公开
2016-08-10	授权	授权
2018-07-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 33/02 申请日:20130628 授权公告日:20160810 终止日期:20170628
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531537414 IPC(主分类):C30B 33/02 专利申请号:2013102696840 申请日:20130628

共 50 条

[1]

一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法 [P].

刘爽 ;

谭晓川 ;

王天钰 ;

谢翼骏 ;

马世俊 ;

郭丽娜 ;

张尚剑 ;

刘永 ;

钟智勇 .

中国专利 :CN107201500A ,2017-09-26

[2]

掺铊碘化铯(CsI:T1)薄膜的一种制备方法 [P].

刘爽 ;

张佳宁 ;

钟智勇 .

中国专利 :CN101967678A ,2011-02-09

[3]

一种掺铊碘化铯复合薄膜及其制备方法 [P].

刘爽 ;

田春回 ;

孙锦涛 ;

许峻文 ;

张尚剑 ;

刘永 .

中国专利 :CN108342688A ,2018-07-31

[4]

一种掺铊的碘化铯复合薄膜及其制备方法 [P].

刘光辉 ;

刘茜 ;

周真真 ;

费凡 ;

魏钦华 ;

杨华 .

中国专利 :CN104561901A ,2015-04-29

[5]

一种抗潮解掺铊碘化铯薄膜及其制备方法 [P].

刘爽 ;

谭晓川 ;

王天钰 ;

谢翼骏 ;

马世俊 ;

郭丽娜 ;

刘永 ;

钟智勇 .

中国专利 :CN107164734A ,2017-09-15

[6]

碘化铯和掺铊碘化铯单晶的坩埚下降法生长工艺 [P].

唐华纯 ;

李国荣 ;

曹家军 ;

吴中元 .

中国专利 :CN102383195A ,2012-03-21

[7]

一种掺铊碘化铯闪烁体及其应用 [P].

吴云涛 ;

任国浩 ;

陈晓峰 ;

李焕英 ;

潘尚可 .

中国专利 :CN104762657A ,2015-07-08

[8]

共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用 [P].

吴云涛 ;

任国浩 ;

陈晓峰 ;

李焕英 ;

潘尚可 .

中国专利 :CN103388179B ,2013-11-13

[9]

一种新型掺铊碘化铯晶体阵列制作封装技术 [P].

杨建春 .

中国专利 :CN107390256A ,2017-11-24

[10]

一种铟、铊共掺的碘化铯闪烁体及其应用 [P].

贡浩飞 ;

朱磊 .

中国专利 :CN109705854A ,2019-05-03

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