一种低温共烧陶瓷基板空腔结构的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710847497.4

申请日：

2017-09-19

公开(公告)号：

CN107591336B

公开(公告)日：

2018-01-16

发明(设计)人：

马名生林琳刘志甫李永祥

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01L2148

IPC分类号：

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

姚佳雯;邹蕴

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/48 登记生效日:20200511 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院上海硅酸盐研究所变更后权利人:横店集团控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:200050 上海市长宁区定西路1295号变更后权利人:322118 浙江省金华市东阳市横店镇万盛街42号
2020-12-04	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/48 登记生效日:20201123 变更事项:专利权人变更前权利人:横店集团控股有限公司变更后权利人:浙江矽瓷科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:322118 浙江省金华市东阳市横店镇万盛街42号变更后权利人:322100 浙江省金华市东阳市横店镇万盛街42号5楼(自主申报)
2019-11-15	授权	授权
2018-01-16	公开	公开
2018-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20170919

共 50 条

[1]

陶瓷基板的制备方法以及低温共烧陶瓷基板 [P].

胡传灯 ;

张现利 ;

刘正淇 .

中国专利 :CN115321954A ,2022-11-11

[2]

低温共烧陶瓷基板空腔侧壁金属化方法 [P].

兰耀海 ;

吕洋 .

中国专利 :CN120186895A ,2025-06-20

[3]

低温共烧陶瓷基板的结构 [P].

吕如梅 ;

范宏光 ;

陈弘仁 .

中国专利 :CN102044518A ,2011-05-04

[4]

一种低温共烧陶瓷基板及其制备方法 [P].

吕潭 ;

刘峰 ;

张发强 ;

刘志甫 .

中国专利 :CN113402283A ,2021-09-17

[5]

一种低温共烧陶瓷基板烧平方法 [P].

胡传灯 ;

张现利 ;

官钱 ;

李珊珊 .

中国专利 :CN115557795A ,2023-01-03

[6]

制备具有通道的低温共烧陶瓷基板的方法 [P].

朱旻 ;

张海英 ;

杜泽保 ;

尹军舰 .

中国专利 :CN102569095B ,2012-07-11

[7]

一种低温共烧陶瓷LED基板结构 [P].

刘志甫 ;

马名生 ;

李永祥 .

中国专利 :CN202159709U ,2012-03-07

[8]

一种低温共烧陶瓷LED基板 [P].

罗元岳 .

中国专利 :CN205282505U ,2016-06-01

[9]

多层低温共烧陶瓷基板集成液冷循环通道的制备方法 [P].

阎德劲 ;

冯刚英 ;

周宇戈 .

中国专利 :CN103456646A ,2013-12-18

[10]

一种低温共烧陶瓷基板上浅层回路形腔体的成型方法 [P].

张孔 ;

邱颖霞 ;

宋夏 ;

刘建军 .

中国专利 :CN109152221A ,2019-01-04

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