包括具有双沟槽的像素隔离结构的图像传感器

被引：0

申请号：

CN202210473126.5

申请日：

2022-04-29

公开(公告)号：

CN115548039A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

全在勋林杠默郑堤衍郑秪惠

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京市立方律师事务所 11330

代理人：

李娜;王占杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

具有切换式深沟槽隔离结构的图像传感器像素单元 [P].

胡信中 ;

杨荣生 ;

陈刚 ;

霍华德·E·罗兹 ;

真锅宗平 ;

戴森·幸志·戴 .

中国专利 :CN104377211B ,2015-02-25

[2]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 [P].

陈刚 ;

张宜 ;

焉逢运 .

中国专利 :CN115692436A ,2023-02-03

[3]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 [P].

陈刚 ;

张宜 ;

焉逢运 .

中国专利 :CN115692436B ,2024-10-25

[4]

具有混合深沟槽隔离的图像传感器 [P].

熊志伟 ;

毛杜立 ;

文森特·韦内齐亚 ;

陈刚 ;

戴森·H·戴 .

中国专利 :CN108022939B ,2018-05-11

[5]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器及其方法 [P].

王勤 ;

V·瓦乃兹艾 .

美国专利 :CN120456631A ,2025-08-08

[6]

图像传感器的像素结构、图像传感器 [P].

杨瑞坤 .

中国专利 :CN215578562U ,2022-01-18

[7]

具有像素隔离区的图像传感器 [P].

林元义明 ;

徐英珠 .

中国专利 :CN1487590A ,2004-04-07

[8]

具有像素分隔结构的图像传感器 [P].

李承俊 ;

尹浈斌 ;

李景镐 ;

金智勋 ;

表正炯 .

中国专利 :CN114725137A ,2022-07-08

[9]

图像传感器深沟槽隔离结构的填充方法 [P].

孙超 ;

范晓 ;

李佳龙 ;

赵德鹏 .

中国专利 :CN115513235A ,2022-12-23

[10]

包括自动聚焦像素的图像传感器 [P].

李太星 ;

琴东旻 ;

金范锡 ;

金镇浩 ;

朴俊城 ;

李光熙 ;

李东奎 ;

李允基 .

中国专利 :CN114598794A ,2022-06-07

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