具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素

被引：0

申请号：

CN202111357648.0

申请日：

2021-11-16

公开(公告)号：

CN115692436A

公开(公告)日：

2023-02-03

发明(设计)人：

陈刚张宜焉逢运

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区科谷一街10号院6号楼5层501-4(北京自贸试验区高端产业片区亦庄组团)

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

H04N2576

代理机构：

深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570

代理人：

黄威

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 [P].

陈刚 ;

张宜 ;

焉逢运 .

中国专利 :CN115692436B ,2024-10-25

[2]

具有切换式深沟槽隔离结构的图像传感器像素单元 [P].

胡信中 ;

杨荣生 ;

陈刚 ;

霍华德·E·罗兹 ;

真锅宗平 ;

戴森·幸志·戴 .

中国专利 :CN104377211B ,2015-02-25

[3]

具有混合深沟槽隔离的图像传感器 [P].

熊志伟 ;

毛杜立 ;

文森特·韦内齐亚 ;

陈刚 ;

戴森·H·戴 .

中国专利 :CN108022939B ,2018-05-11

[4]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器及其方法 [P].

王勤 ;

V·瓦乃兹艾 .

美国专利 :CN120456631A ,2025-08-08

[5]

用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离(DTI)结构 [P].

臧辉 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113013185A ,2021-06-22

[6]

用于图像传感器的深沟槽隔离结构 [P].

陈刚 ;

彭进宝 .

中国专利 :CN115831988B ,2024-06-18

[7]

用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法 [P].

臧辉 .

美国专利 :CN118841421A ,2024-10-25

[8]

用于图像传感器的沟槽隔离 [P].

郑荣友 ;

林赛·格朗 ;

戴森·H·戴 ;

文森特·瓦乃兹艾 ;

郑魏 .

中国专利 :CN109686748B ,2019-04-26

[9]

采用深沟槽隔离的图像传感器 [P].

赵立新 ;

杨瑞坤 .

中国专利 :CN204558466U ,2015-08-12

[10]

采用深沟槽隔离的图像传感器 [P].

霍华德·E·罗德斯 .

中国专利 :CN1832187A ,2006-09-13

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