用于图像传感器的沟槽隔离

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811201788.7

申请日：

2018-10-16

公开(公告)号：

CN109686748B

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

郑荣友林赛·格朗戴森·H·戴文森特·瓦乃兹艾郑魏

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘媛媛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-29	授权	授权
2019-04-26	公开	公开
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20181016

共 50 条

[1]

用于CMOS图像传感器的浅沟槽隔离(STI)结构 [P].

文成烈 ;

姜熙秀 ;

张祥 .

中国专利 :CN115347008A ,2022-11-15

[2]

具有混合深沟槽隔离的图像传感器 [P].

熊志伟 ;

毛杜立 ;

文森特·韦内齐亚 ;

陈刚 ;

戴森·H·戴 .

中国专利 :CN108022939B ,2018-05-11

[3]

具有切换式深沟槽隔离结构的图像传感器像素单元 [P].

胡信中 ;

杨荣生 ;

陈刚 ;

霍华德·E·罗兹 ;

真锅宗平 ;

戴森·幸志·戴 .

中国专利 :CN104377211B ,2015-02-25

[4]

用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离(DTI)结构 [P].

臧辉 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113013185A ,2021-06-22

[5]

用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法 [P].

臧辉 .

美国专利 :CN118841421A ,2024-10-25

[6]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 [P].

陈刚 ;

张宜 ;

焉逢运 .

中国专利 :CN115692436A ,2023-02-03

[7]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 [P].

陈刚 ;

张宜 ;

焉逢运 .

中国专利 :CN115692436B ,2024-10-25

[8]

用于CMOS图像传感器的浅沟槽隔离（STI）结构 [P].

文成烈 .

中国专利 :CN113224089A ,2021-08-06

[9]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器及其方法 [P].

王勤 ;

V·瓦乃兹艾 .

美国专利 :CN120456631A ,2025-08-08

[10]

采用深沟槽隔离的图像传感器 [P].

霍华德·E·罗德斯 .

中国专利 :CN1832187A ,2006-09-13

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