用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410290603.3

申请日：

2024-03-14

公开(公告)号：

CN118841421A

公开(公告)日：

2024-10-25

发明(设计)人：

臧辉

申请人：

豪威科技股份有限公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27/146

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘媛媛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-25	公开	公开

共 50 条

[1]

用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离(DTI)结构 [P].

臧辉 ;

陈刚 .

中国专利 :CN113013185A ,2021-06-22

[2]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器及其方法 [P].

王勤 ;

V·瓦乃兹艾 .

美国专利 :CN120456631A ,2025-08-08

[3]

用于CMOS图像传感器的单元深沟槽隔离金字塔结构 [P].

臧辉 ;

陈刚 ;

牛超 ;

Z·林 .

中国专利 :CN114078894A ,2022-02-22

[4]

用于CMOS图像传感器的浅沟槽隔离(STI)结构 [P].

文成烈 ;

姜熙秀 ;

张祥 .

中国专利 :CN115347008A ,2022-11-15

[5]

图像传感器深沟槽隔离结构的填充方法 [P].

孙超 ;

范晓 ;

李佳龙 ;

赵德鹏 .

中国专利 :CN115513235A ,2022-12-23

[6]

用于CMOS图像传感器的浅沟槽隔离（STI）结构 [P].

文成烈 .

中国专利 :CN113224089A ,2021-08-06

[7]

具有混合深沟槽隔离的图像传感器 [P].

熊志伟 ;

毛杜立 ;

文森特·韦内齐亚 ;

陈刚 ;

戴森·H·戴 .

中国专利 :CN108022939B ,2018-05-11

[8]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 [P].

陈刚 ;

张宜 ;

焉逢运 .

中国专利 :CN115692436A ,2023-02-03

[9]

具有深沟槽隔离结构的图像传感器像素 [P].

陈刚 ;

张宜 ;

焉逢运 .

中国专利 :CN115692436B ,2024-10-25

[10]

用于图像传感器的深沟槽隔离结构 [P].

陈刚 ;

彭进宝 .

中国专利 :CN115831988B ,2024-06-18

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