自支撑氮化镓衬底的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110134149.5

申请日：

2011-05-23

公开(公告)号：

CN102208340B

公开(公告)日：

2011-10-05

发明(设计)人：

孙波伊晓燕刘志强汪炼成郭恩卿王国宏

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L3300 C30B2938 C30B2500

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101140145000 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011101341495 申请日:20110523
2014-04-23	授权	授权
2011-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655A ,2022-01-07

[2]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655B ,2025-12-05

[3]

氮化镓自支撑衬底的制作方法 [P].

何进密 ;

卢敬权 ;

任俊杰 .

中国专利 :CN112151355B ,2020-12-29

[4]

n型氮化镓自支撑衬底的制作方法 [P].

卢敬权 ;

何进密 ;

任俊杰 .

中国专利 :CN111128688B ,2020-05-08

[5]

自支撑氮化镓层及其制作方法 [P].

刘仁锁 ;

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 ;

罗晓菊 .

中国专利 :CN111218643A ,2020-06-02

[6]

激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

徐剑 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

刘治国 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1383185A ,2002-12-04

[7]

镓金属薄膜的制作方法以及氮化镓衬底的保护方法 [P].

邵凯恒 ;

蔡亚伟 ;

夏嵩渊 ;

张育民 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN113053731B ,2024-05-17

[8]

镓金属薄膜的制作方法以及氮化镓衬底的保护方法 [P].

邵凯恒 ;

蔡亚伟 ;

夏嵩渊 ;

张育民 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN113053731A ,2021-06-29

[9]

氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法 [P].

王瑞 ;

王彦彬 ;

敖辉 ;

庄文荣 ;

颜建锋 .

中国专利 :CN119673763A ,2025-03-21

[10]

氮化镓衬底及其制作方法以及半导体器件的制作方法 [P].

王瑞 ;

王彦彬 ;

敖辉 ;

庄文荣 ;

颜建锋 .

中国专利 :CN119673763B ,2025-12-05

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