自支撑氮化镓层及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010059906.6

申请日：

2020-01-19

公开(公告)号：

CN111218643A

公开(公告)日：

2020-06-02

发明(设计)人：

刘仁锁王颖慧特洛伊·乔纳森·贝克罗晓菊

申请人：

申请人地址：

200135 上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室

IPC主分类号：

C23C1402

IPC分类号：

C23C1404 C23C1406 C23C1602 C23C1604 C23C1634 C30B3500 C30B2938 H01L2102

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

史治法

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	公开	公开
2020-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/02 申请日:20200119

共 50 条

[1]

自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 .

中国专利 :CN107195536B ,2017-09-22

[2]

自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

罗晓菊 ;

王颖慧 .

中国专利 :CN107316800B ,2017-11-03

[3]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655A ,2022-01-07

[4]

氮化镓自支撑衬底的制作方法 [P].

何进密 ;

卢敬权 ;

任俊杰 .

中国专利 :CN112151355B ,2020-12-29

[5]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655B ,2025-12-05

[6]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

孙波 ;

伊晓燕 ;

刘志强 ;

汪炼成 ;

郭恩卿 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102208340B ,2011-10-05

[7]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 ;

罗晓菊 .

中国专利 :CN111223763B ,2024-04-12

[8]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

王颖慧 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 ;

罗晓菊 .

中国专利 :CN111223763A ,2020-06-02

[9]

自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法 [P].

特洛伊·乔纳森·贝克 ;

王颖慧 ;

罗晓菊 .

中国专利 :CN107275187A ,2017-10-20

[10]

半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P].

刘仁锁 ;

特洛伊·乔纳森·贝克 .

中国专利 :CN112864001A ,2021-05-28

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