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半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011637943.7
申请日：
2020-12-31
公开(公告)号：
CN112864001A
公开(公告)日：
2021-05-28
发明(设计)人：
刘仁锁
特洛伊·乔纳森·贝克
申请人：
申请人地址：
200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室
IPC主分类号：
H01L2102
IPC分类号：
H01L2178
H01L2906
H01L2920
代理机构：
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人：
史治法
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-05-28 | 公开 | 公开 |
| 2021-06-15 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20201231 |