自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710495305.8
申请日
2017-06-26
公开(公告)号
CN107275187A
公开(公告)日
2017-10-20
发明(设计)人
特洛伊·乔纳森·贝克 王颖慧 罗晓菊
申请人
申请人地址
201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L2178 H01L21324
代理机构
上海光华专利事务所 31219
代理人
姚艳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
罗晓菊 ;
王颖慧 .
中国专利 :CN107195536B ,2017-09-22
[2]
自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
罗晓菊 ;
王颖慧 .
中国专利 :CN107316800B ,2017-11-03
[3]
自支撑氮化镓层及其制作方法 [P]. 
刘仁锁 ;
王颖慧 ;
特洛伊·乔纳森·贝克 ;
罗晓菊 .
中国专利 :CN111218643A ,2020-06-02
[4]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
刘仁锁 ;
特洛伊·乔纳森·贝克 .
中国专利 :CN112864001A ,2021-05-28
[5]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
王颖慧 ;
罗晓菊 ;
特洛伊·乔纳森·贝克 .
中国专利 :CN112820636A ,2021-05-18
[6]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
王颖慧 ;
罗晓菊 ;
唐金凤 .
中国专利 :CN115148577A ,2022-10-04
[7]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
王颖慧 ;
特洛伊·乔纳森·贝克 ;
罗晓菊 .
中国专利 :CN111223763B ,2024-04-12
[8]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
王颖慧 ;
罗晓菊 ;
唐金凤 .
中国专利 :CN115148577B ,2025-11-28
[9]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
罗晓菊 ;
王颖慧 ;
胡作诗 .
中国专利 :CN114628237A ,2022-06-14
[10]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法 [P]. 
罗晓菊 ;
王颖慧 .
中国专利 :CN107316801B ,2017-11-03