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自支撑氮化镓层及其制备方法、退火方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710495305.8
申请日
:
2017-06-26
公开(公告)号
:
CN107275187A
公开(公告)日
:
2017-10-20
发明(设计)人
:
特洛伊·乔纳森·贝克
王颖慧
罗晓菊
申请人
:
申请人地址
:
201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号23幢N1128室
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L2178
H01L21324
代理机构
:
上海光华专利事务所 31219
代理人
:
姚艳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-11-17
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170626
2017-10-20
公开
公开
共 50 条
[1]
自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
引用数:
0
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0
罗晓菊
;
王颖慧
论文数:
0
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0
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0
王颖慧
.
中国专利
:CN107195536B
,2017-09-22
[2]
自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
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0
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0
罗晓菊
;
王颖慧
论文数:
0
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0
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0
王颖慧
.
中国专利
:CN107316800B
,2017-11-03
[3]
自支撑氮化镓层及其制作方法
[P].
刘仁锁
论文数:
0
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0
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0
刘仁锁
;
王颖慧
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0
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王颖慧
;
特洛伊·乔纳森·贝克
论文数:
0
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特洛伊·乔纳森·贝克
;
罗晓菊
论文数:
0
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0
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0
罗晓菊
.
中国专利
:CN111218643A
,2020-06-02
[4]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
刘仁锁
论文数:
0
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0
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0
刘仁锁
;
特洛伊·乔纳森·贝克
论文数:
0
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0
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0
特洛伊·乔纳森·贝克
.
中国专利
:CN112864001A
,2021-05-28
[5]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
王颖慧
论文数:
0
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王颖慧
;
罗晓菊
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罗晓菊
;
特洛伊·乔纳森·贝克
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0
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特洛伊·乔纳森·贝克
.
中国专利
:CN112820636A
,2021-05-18
[6]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
王颖慧
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王颖慧
;
罗晓菊
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罗晓菊
;
唐金凤
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唐金凤
.
中国专利
:CN115148577A
,2022-10-04
[7]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
王颖慧
论文数:
0
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0
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0
机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
王颖慧
;
特洛伊·乔纳森·贝克
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机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
特洛伊·乔纳森·贝克
;
罗晓菊
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机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
罗晓菊
.
中国专利
:CN111223763B
,2024-04-12
[8]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
王颖慧
论文数:
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机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
王颖慧
;
罗晓菊
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机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
罗晓菊
;
唐金凤
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机构:
镓特半导体科技(上海)有限公司
镓特半导体科技(上海)有限公司
唐金凤
.
中国专利
:CN115148577B
,2025-11-28
[9]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
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0
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罗晓菊
;
王颖慧
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0
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王颖慧
;
胡作诗
论文数:
0
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0
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胡作诗
.
中国专利
:CN114628237A
,2022-06-14
[10]
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法
[P].
罗晓菊
论文数:
0
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罗晓菊
;
王颖慧
论文数:
0
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0
王颖慧
.
中国专利
:CN107316801B
,2017-11-03
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