一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410157665.3

申请日：

2014-04-18

公开(公告)号：

CN103943700A

公开(公告)日：

2014-07-23

发明(设计)人：

李国强李景灵高芳亮管云芳温雷张曙光

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L310304

IPC分类号：

H01L310352 H01L3118

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

陈文姬

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584547495 IPC(主分类):H01L 31/0304 专利申请号:2014101576653 申请日:20140418
2014-07-23	公开	公开
2016-08-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种生长在GaAs衬底上的InGaAsN薄膜 [P].

李国强 ;

李景灵 ;

高芳亮 ;

管云芳 ;

温雷 ;

张曙光 .

中国专利 :CN203826398U ,2014-09-10

[2]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN103325863A ,2013-09-25

[3]

生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN104835718B ,2015-08-12

[4]

一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

李景灵 .

中国专利 :CN105023962A ,2015-11-04

[5]

生长在GaAs衬底上的InGaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

吴平平 ;

李景灵 ;

管云芳 .

中国专利 :CN203288608U ,2013-11-13

[6]

一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

张曙光 ;

李景灵 .

中国专利 :CN204834639U ,2015-12-02

[7]

生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

张曙光 ;

王凯诚 .

中国专利 :CN106449811A ,2017-02-22

[8]

在GaAs衬底上生长InGaAs薄膜的方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 .

中国专利 :CN102560634A ,2012-07-11

[9]

生长在Si衬底上的GaAs薄膜及制备方法 [P].

李国强 ;

温雷 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

李景灵 ;

龚振远 .

中国专利 :CN105140104B ,2015-12-09

[10]

一种生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜及制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 ;

李景灵 ;

管云芳 ;

张曙光 .

中国专利 :CN104465725A ,2015-03-25

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